mesfet是由PN结场效应管改进得到的，原理基本相同，PN结场效应管是利用两边为P型高掺杂半导体、中间为N型掺杂半导体作为导电沟道得到的，当所加栅源电压不同时，两个相对的PN结的空间电荷区宽度不一样，所以以此控制中间的导电沟道区宽度，导电沟道区宽度改变相当于电阻改变，从而电流改变（以N型jeft为例）。

mesfet原理基本一样，只不过它不是通过PN的空间电荷区来改变导电沟道的，而是上层为金属，中间同样为N型半导体作为导电沟道，下层一般为GaAs（衬底），这时候要求金属（一般用Al）的费米能级比N型半导体的要低，所以N型半导体的电子流向金属，这样N型半导体就形成了空间电荷区（耗尽层，没有电离电子），同样的可以通过栅源电压改变这个空间电荷区的宽度，以此来控制导电沟道的宽度。

而mosfet就不一样了，它的上层为金属，接着为氧化层（SiO2），接着为P型半导体（衬底），两侧为N型高掺杂半导体分别作为源极和漏极，通过改变栅源电压，可以改变P型衬底表面的载流子类型，例如所加电压为负时，表面积累空穴，没有形成N型导电沟道，应为两侧为N型高掺杂半导体，所以要积累电子才能导电；当栅源电压为正时（要大于开启电压），表面将会积累电子，我们知道P型半导体的多子为空穴，当积累的电子多与空穴时，便会形成N型导电沟道，从而导通，所加的栅源电压、漏源电压不同，则电流也不同。

最后说说两者的电流电压特性，当栅源电压一定时，漏源电压达到一定时，导电沟道会发生夹断，此后电流饱和，不随漏源电压而变化；当漏源电压大于击穿电压时，会发生击穿，电流剧增；当漏源电压比较小时，电流与电压呈线性关系。

当栅源电压小于开启电压时，处于截止，没有导电沟道，电流只有很小的反向扩散电流。

至于高频特型，这涉及到电容的问题，比较复杂，我只大略说说mosfet的，在高频时，P型衬底的表面电荷（反型层）跟不上变化，所以存在，耗尽层电容与氧化层电容，所以高频特性不是很好。

更详细的内容我觉得你可以参考《微电子器件与IC设计基础》刘刚等著，里面内容非常好，解析的很清楚。