晶体管的输入特性曲线

这个很容易理解，为了从本质揭示道理，从基本原理说起，首先楼主知道两个常识：

1，三极管导通后，有一放大效应，集电极电流Ic=β*Ib，这个本质原因就是发射极参杂了大量的多子，也就是自由电子，在适当的外界电压条件下，造成的多子的自由扩散，形成的电流。

2，二极管正向导通，反向截止，导通电压一般为硅管是0.7v左右，这个是怎么形成的，比较简单，施加正向电压后，多子在电压作用下，强行试图越过PN结，与PN结处的正负电子相互中和，使得PN结变薄，但是不会消失，正因为如此，需要一个稳定的导通电压。

此时扩散电流明显超越漂移电流，内阻显示很小，导通了。

下面回到三极管，NPN三极管导通后，电流流动如上图所示：

【三极管的导通和工作机理】：1，0<VBB<VCC，这保证了发射结正偏，集电结反偏。

2，发射极参杂大量电子，3，基区做的非常的薄。

容易被穿越。

发射结正偏，集电结反偏，通俗说就是发射极e连接VBB的负极，负极意味着大量负电子，同性排斥，那么发射极e的电子被强迫推动试图翻过基区（图中浅黄色p区），进入基区后，电子要决定到哪里去？VBB的正极和VCC的正极都在吸引着这一批进入基区的电子，因为VBB<VCC，那么VCC的吸引力更强，于是电子热情的跨过基区，进入了集电极，流经Rb，被吸引到VCC的正极，形成了大规模的IC电流。

当然会有一部分电子被VBB的正极吸引去，这就是基极电流Ib，

Ic=β*Ib，β=20~200。

这就是三极管放大的秘密。

当然由于VCC的正极对着集电极，集电极的少子，也就是空穴，正正排斥，被迫向下流动，进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示，这个很少，可以忽略。

【为什么为什么Uce=0.5比Uce=0的导通电压要大？】

1，当uCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线，这个时候，只需要加入0.7v的Ube就能导通了，相当于一个二极管的导通Uce=0.5

2，当Uce=0.5v，这个时候，电子进入基区后，要选择Vcc还是Vbb的正极去，当然此时，Vcc=0.5，Vbb=0.7。

Vbb的吸引作用更强，但是Vcc仍然分流了一部分电子，内在表现等效为PN结的内阻增大，PN结变厚，扩散作用受到阻碍，于是就必须增大Ube把被Vcc抢去的电子抢回来。

3，当Uce=1v，如果还是保持Ube=Vbb=0.7v，那么uCB=uCE-uBE>0，集电结已进入反偏状态，开始大量收集电子，必须要增大Ube，把被Vcc抢去的电子抢回来，表现为，大量的电子经过Rc流向Vbb，这个过程被成为复合过程。

回答的啰嗦些，但是全面回顾了三极管和二极管的工作原理，楼主细细读，应该会加深理解的！

一言一句，全部手敲，望采纳！！

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